В номенклатуре ООО «ДИСИКОМ» представлены летучие соединения для процессов CVD и ALD — химического и атомно-слоевого осаждения.
Гексахлордисилан Si2Cl6 высокой чистоты применяется как кремнийсодержащий прекурсор для получения тонких плёнок, включая нитрид кремния. Тетрабромид и тетрахлорид кремния, органосиланы и трисилиламин также входят в направление материалов для современной микроэлектроники.
Отдельная группа — кремнийорганические гидриды типа RSiH3 и R2SiH2, используемые в технологических процессах получения кремнийсодержащих плёнок.
Тетракис(трифторфосфин)никель Ni(PF3)4 используется в процессах получения металлического никеля термораспадом. Для конкретного процесса параметры подачи прекурсора и температурный режим определяются технологией заказчика.
Для CVD/ALD-поставок согласуются требуемая чистота, уровень примесей, упаковка, расход и совместимость с системой подачи прекурсора.